在普通玻璃的一個(gè)表面鍍上一層氧化銦錫的導(dǎo)電膜，就形成了LCD常用的氧化銦錫玻璃，通常簡(jiǎn)稱為ITO玻璃。

　　基本結(jié)構(gòu)

　　基板：

　　常用的基板厚度有1.1mm;0.7mm;0.5mm;0.5mm,0.4mm

　　根據(jù)材料的不同，通常分為鈉鈣玻璃和硼硅玻璃兩種。

　　鈉鈣型玻璃

　　優(yōu)點(diǎn)：成本低

　　缺點(diǎn)：含有鈉、鉀等離子，易產(chǎn)生滲透，影響產(chǎn)品性能

　　硼硅型玻璃

　　優(yōu)點(diǎn)：玻璃硬度高，透過(guò)率好

　　缺點(diǎn)：成本較高

　　鈉鈣型玻璃基本成分：

　　SiO2層：

　　SiO2層的作用：

　　主要是防止鈉鈣型基板中的金屬離子擴(kuò)散滲透到ITO層中，影響ITO層的導(dǎo)電能力。

　　SiO2層的膜厚：

　　標(biāo)準(zhǔn)膜厚一般為20-30nm。

　　ITO（indium Tin Oxid）層：

　　為氧化銦錫的透明導(dǎo)電層，其中I表示In2O3，T表示SnO2，一般Sn（即Tin）的含量約為10%。隨著ITO層厚度的增加，ITO層的厚度逐漸減小。

　　分類

　　根據(jù)基板玻璃表面狀態(tài)的不同，通常分為以下三種類型：

　　TN：未拋光型，直接在玻璃的浮法面進(jìn)行鍍膜。

　　HTN：簡(jiǎn)單拋光型/TN精選玻璃，將玻璃的浮法面進(jìn)行簡(jiǎn)單的拋光后，在拋光面進(jìn)行鍍膜。

　　STN：超拋光型，將玻璃的浮法面進(jìn)行精細(xì)的拋光后，在拋光面進(jìn)行鍍膜。

　　生產(chǎn)工藝

　　ITO玻璃的生產(chǎn)工藝流程主要分為以下三個(gè)步驟：

　　1、切割倒角：

　　2、拋光；

　　3、鍍膜

　　注：TN型玻璃不需要拋光，生產(chǎn)工藝流程更簡(jiǎn)單。

　　切割磨邊的工藝流程：

　　磨邊類型及規(guī)格要求：

　　通常分為C型和R型兩種

　　倒角的形狀及公差：

　　拋光工藝流程：

　　用研磨料將玻璃表面磨平，使玻璃表面平整。對(duì)于STN型ITO玻璃是必須經(jīng)過(guò)的一道生產(chǎn)流程。

　　鍍膜工藝流程：

　　鍍膜方法：

　　鍍膜的方法有：噴霧法；涂覆法；浸漬法；化學(xué)氣相沉積法；真空蒸發(fā)法；測(cè)射法，但目前工業(yè)化最有效的方法是磁控測(cè)射法。

　　磁控測(cè)射法：

　　在高真空反應(yīng)室中充入一定比例的02和Ar的混合氣體，在直流高壓下，Ar被電離，在電場(chǎng)作用下轟擊靶材，使銦和錫以原子和離子形式濺射出來(lái)，沉積在基板玻璃表面，同時(shí)被氧化，形成氧化銦錫膜。

　　評(píng)價(jià)參數(shù)

　　透過(guò)率

　　在波長(zhǎng)為550nm的光波照射下，具有SI02阻擋層玻璃的透過(guò)率不小于80%，其主要取決于玻璃材料、ITO厚度和折射率。

　　透過(guò)率定義：

　　透過(guò)玻璃的光透量T2與入射光透量T1之比的百分率

　　Tt=T2/T1X100%

　　方塊電阻：

　　d為膜厚，I為電流，L1為膜厚在電流方向上的長(zhǎng)度，L2為膜層在垂直電流方向的長(zhǎng)度，ρ為導(dǎo)電膜的體電阻率。ρ和d可以認(rèn)為是不變的定值，當(dāng)L1=L2時(shí)，為正方形的膜層，無(wú)論方塊大小如何，其電阻率為定值ρ/d，這就是方塊電阻的定義，即R=ρ/d

　　平整度

　　平整度可用h/1表示，意思為在長(zhǎng)度為L(zhǎng)的范圍內(nèi)，表面最高點(diǎn)與最低點(diǎn)的差值為h。

　　ITO玻璃基板平整度參數(shù)包括：

　　1、玻璃表面粗糙度；

　　2、基板表面波紋度；

　　3、基板翹曲度；

　　4、基板垂直度‘

　　5、ITO膜表面粗糙度；

　　6、ITO玻璃基板、膜厚均勻度。

　　基板翹曲度

　　用h/L表示（如圖），即翹曲的高度與翹起邊的長(zhǎng)度之比。

　　其中要求如下：

　　1、厚度≥0.7mm的基片玻璃，翹曲度（h/L）≤0.1%

　　2、厚度≤0.55mm的基片玻璃，翹曲度（h/L）≤0.15%

　　3、不允許有S形翹曲

　　基板垂直度：用a/L表示（如圖）。用來(lái)描述玻璃基板四條邊互相垂直的程度。

　　化學(xué)穩(wěn)定性

　　ITO鍍膜層的耐化學(xué)性能應(yīng)符合表2中技術(shù)要求。

　　a、耐堿性

　　鍍層在溫度為60±2℃，濃度為10%的氫氧化鈉（分析純）溶液中浸泡5分鐘，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超過(guò)110%。

　　b、耐酸性

　　在25±2℃，6%鹽酸（分析純）溶液中浸泡2分鐘，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超過(guò)110%。

　　c、耐溶劑性能

　　將鍍膜玻璃放入丙酮（分析純）、無(wú)水乙醇（分析純）中浸泡5分鐘后，ITO膜的方電阻與浸泡前的方電阻相比不得超過(guò)10%。

　　熱穩(wěn)定性

　　在空氣中經(jīng)過(guò)30分鐘300±5℃（觸摸屏用ITO玻璃是在200±5℃）高溫后，ITO膜的方阻的變化率小于300%

　　附著力

　　用3M交代粘在玻璃表面迅速撕開(kāi)，ITO層無(wú)明顯開(kāi)裂現(xiàn)象。

　　ITO膜面的判定

　　浮法方向：

　　在基板玻璃制造過(guò)程中，液態(tài)玻璃流動(dòng)的方向。

　　主要判定方法

　　(1)將萬(wàn)用表打至歐姆檔，用探針?lè)謩e測(cè)試兩個(gè)點(diǎn)，如果顯示不“1”，則所測(cè)試面為ITO膜面。

　　(2)用方塊電阻測(cè)試儀測(cè)試面電阻，如果顯示電阻無(wú)窮大，則所測(cè)面為非ITO膜面。

　　(3)通過(guò)大角設(shè)別：以16X14英寸的玻璃為例。

　　常見(jiàn)問(wèn)題