致力于通過新一代“TaRF6”工藝改善智能手機的性能

　　東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)宣布，該公司已面向支持LTE-Advanced技術的智能手機開發出SP12T[1]射頻(RF)天線開關集成電路(IC)，實現業內最低水平的插入損耗[2,4]和射頻失真[3,4]。樣品出貨即日啟動。

　　隨著移動通信技術的普及，射頻頻帶和數據傳輸速率的量也正顯著增加。對移動設備射頻電路中所使用的天線開關IC的要求正逐漸朝著多端口，以及改善射頻性能的方向發展。此外，為了滿足新興市場高數據傳輸速率移動通信設備急劇增長的要求，以具有成本效益的方式來改善這些射頻性能實屬必要。

　　為了響應這些要求，東芝現已開發出新一代采用絕緣體上硅(SOI)技術[6]的TarfSOITM（東芝高級射頻SOI技術）[5]工藝“TaRF6”。TarfSOITM實現了將模擬、數字和射頻電路集成于單一芯片的目標。相比其它的傳統解決方案，例如砷化鎵(GaAs)，該工藝提供了一種高性價比解決方案，支持高度復雜的切換功能和射頻性能。

　　借助“TaRF6”新工藝，為射頻開關應用定制的金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)已被開發并應用于新型SP12T射頻天線開關IC中，從而帶來0.42dB插入損耗(f=2.7GHz)以及-90dBm二次諧波失真[7]的性能。與之前的“TaRF5”工藝相比，插入損耗(f=2.7GHz)降低了0.26dB，二次諧波失真降低18dB。較低的插入損耗可降低智能手機的功耗，而較低的諧波失真則有利于開發需要低失真的載波聚合[8]智能手機。

　　東芝將于今年年底擴大采用具有低插入損耗和低失真的“TaRF6”工藝的產品陣容，以滿足全球正在部署的長期演進(LTE)技術所需的多端口和復雜功能的要求，而LTE-Advanced[9]技術有望緊隨其后。此外，東芝正考慮提供采用TarfSOITM技術的SOI晶圓代工服務。

　　注釋

　　[1]單刀12擲開關

　　[2]當電流在射頻電路中從一端流向另一端時所產生的電功率損耗，以分貝表示。

　　[3] 當電流在射頻電路中從一端流向另一端時，輸出信號中出現的多余頻率分量。

　　[4] 截至2014年9月10日的射頻天線開關市場。東芝調查。

　　[5] TarfSOITM是東芝公司的商標。

　　[6]該技術在MOSFET的通道下形成一層絕緣膜，并降低雜散電容，以改善CMOS LSI的速度和功率節省量。

　　[7]具有2倍頻率的失真分量。

　　[8]一種同時使用多個頻率載波來增加傳輸數據速率的技術。為了避免與接收器頻段重疊的諧波分量的接收性能出現下降，該應用需要更低的諧波性能。

　　[9]一種由3GPP標準開發組織制定的新通信標準。由國際電信聯盟(ITU)定義的第4代移動通信系統中的一種。