臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體（HiSilicon）成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片，設(shè)備廠透露，這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下，已取得壓倒性勝利。

　　此外，臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn)，目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾，屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾，將讓臺(tái)積電稱冠全球，并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。

　　臺(tái)積電的這項(xiàng)成就，是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露，針對(duì)臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)品完成產(chǎn)品設(shè)計(jì)（tape-out）后，點(diǎn)出臺(tái)積電在16納米FinFET的重要成果。

　　不愿具名的設(shè)備商指出，臺(tái)積電為海思成功產(chǎn)出的全球首顆以16納米生產(chǎn)、功能完備的網(wǎng)通處理器，等于宣告海思具備可以提供自家集團(tuán)華為的核心處理器。該晶片是以ARMv8架構(gòu)為基礎(chǔ)的32核心ARM Cortex-A57網(wǎng)絡(luò)芯片，運(yùn)算速度可達(dá)2.6GHz。

　　華為目前是向英特爾采購(gòu)以22納米制程的網(wǎng)絡(luò)芯片，臺(tái)積電與海思的合作，也代表中國(guó)大陸已具備自主生產(chǎn)高階網(wǎng)絡(luò)芯片的地位，對(duì)英特爾帶來(lái)一定程度的威脅。

　　同時(shí)根據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，臺(tái)積電16奈米FinFET Plus制程也進(jìn)入試投片（try run）先前作業(yè)階段，可望提前至第4季試產(chǎn)，主要客戶除了繪圖晶片廠英偉達(dá)（NVIDIA）、FPGA廠商賽靈思（Xilinx）、手機(jī)芯片廠商高通外，眾所矚目的蘋果新款應(yīng)用處理器也將試投片清單中。

　　對(duì)臺(tái)積電而言，臺(tái)積電也用實(shí)例，向英特爾證明臺(tái)積電16納米FinFET制程，并未如先前英特爾唱衰在芯片閘密度比英特爾還低30%，臺(tái)積電不但在20納米就已超越英特爾，16納米FinFET更大幅領(lǐng)先。

　　此外，面對(duì)三星先前一直強(qiáng)調(diào)16納米FinFET遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先臺(tái)積電，臺(tái)積電率先提出產(chǎn)出成功案例，回?fù)羧堑目谒畱?zhàn)，等于左打英特爾，右踢三星，臺(tái)積電有信心在16納米FinFET會(huì)取得壓倒性勝利。

　　相較于臺(tái)積電的28納米高效能行動(dòng)運(yùn)算（28HPM）制程，16納米FinFET制程的晶片閘密度增加兩倍，在相同功耗下速度增快逾40％，或在相同速度下功耗降低逾60％。

　　臺(tái)積電的16納米FinFET制程早于去年11月即完成所有可靠性驗(yàn)證，良率表現(xiàn)優(yōu)異，如今進(jìn)入試產(chǎn)階段，為臺(tái)積電與客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎(chǔ)。

　　半導(dǎo)體人士強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體評(píng)斷技術(shù)實(shí)力，看的是晶體管效能、芯片金屬層連結(jié)及芯片閘密度，后二者臺(tái)積電都已超越英特爾，一旦臺(tái)積電二年內(nèi)在晶體管效能追平英特爾，臺(tái)積電將可正式躍居全球半導(dǎo)體新霸主地位，為臺(tái)灣締造新的歷史地位。